Una fuente de continua de 24 V hace circular corriente por una resistencia de 220 Ω en serie con un diodo de silicio polarizado en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.
Hoja de ejercicios de Diodos y transistores con soluciones
Una fuente de continua de 3 V hace circular corriente por una resistencia de 3,3 kΩ en serie con un diodo de silicio polarizado en directa. Usa el modelo de caída constante con 0,7 V por cada diodo en conducción. Halla la corriente I en mA.
Un transistor NPN con β = 200 tiene polarización por divisor de tensión desde VCC = 12 V: R₁ = 22 kΩ de VCC a la base y R₂ = 4,7 kΩ de la base a tierra. La resistencia de colector es RC = 2,7 kΩ y la resistencia de emisor es RE = 680 Ω. Toma VBE = 0,7 V y usa el equivalente de Thévenin del divisor (no desprecies la corriente de base). Halla la corriente de colector IC en mA.
Un transistor NPN con β = 200 se polariza con una resistencia de base RB = 820 kΩ desde la alimentación VCC = 9 V. La resistencia de colector es RC = 3,3 kΩ y el emisor está a tierra. Toma VBE = 0,7 V y supón que el transistor está en la región activa. Halla la tensión colector–emisor VCE.
Un diodo se modela como 0,7 V en serie con 50 Ω (conduce por encima de 0,7 V). Está en serie con una resistencia de 1000 Ω en una fuente de 12 V. Halla la corriente de funcionamiento ID donde la recta del diodo corta a la recta de carga.
Un transistor NPN con β = 80 conmuta una resistencia de carga de 330 Ω conectada entre VCC = 5 V y su colector. El emisor está a tierra. La base se excita desde una salida lógica de 3,3 V a través de una resistencia de base RB = 47 kΩ. Toma VBE = 0,7 V y VCE(sat) = 0,2 V. Halla la corriente de colector IC en mA cuando la entrada está a nivel alto. Decide primero si el transistor está saturado.
Soluciones
- 1. I = 105,9 mA
- 2. I = 0,697 mA
- 3. IC = 2,01 mA
- 4. VCE = 2,32 V
- 5. ID = 10,76 mA
- 6. IC = 4,426 mA
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