Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Une diode Zener de 3,3 V est alimentée sous 9 V à travers une résistance de 330 Ω, sans charge connectée. Trouvez le courant I_R dans la résistance.

Une source continue de 5 V fait circuler un courant dans une résistance de 330 Ω en série avec deux diodes au silicium polarisées en direct. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V par diode passante. Trouvez le courant I en mA.

Un transistor NPN de β = 100 est polarisé par une résistance de base R_B = 330 kΩ reliée à l’alimentation V_CC = 10 V. La résistance de collecteur vaut R_C = 1,5 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez V_BE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Un transistor NPN de β = 120 est polarisé par un pont diviseur à partir de V_CC = 15 V : R₁ = 39 kΩ entre V_CC et la base, et R₂ = 8,2 kΩ entre la base et la masse. La résistance de collecteur vaut R_C = 1,5 kΩ et la résistance d’émetteur R_E = 1,5 kΩ. Prenez V_BE = 0,7 V et utilisez l’équivalent de Thévenin du pont diviseur (sans négliger le courant de base). Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Une diode est modélisée par 0,65 V en série avec 50 Ω (elle conduit au-dessus de 0,65 V). Elle est en série avec une résistance de 150 Ω aux bornes d’une alimentation de 12 V. Trouvez le courant de fonctionnement I_D à l’intersection de la caractéristique de la diode et de la droite de charge.

Un transistor NPN de β = 80 commande une résistance de charge de 330 Ω branchée entre V_CC = 5 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base R_B = 100 kΩ. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Trouvez le courant de collecteur I_C en mA lorsque l’entrée est à l’état haut. Déterminez d’abord si le transistor est saturé.