Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Fiche d’exercices de Diodes et transistors gratuite et imprimable : 6 exercices, du niveau facile au niveau examen, avec corrigé. Imprimez-la ou enregistrez-la en PDF.

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1.Facile
+−Vs​6 VR1​ = 330 ΩR2​ = 680 ΩID​ = ?

Une source continue de 6 V est reliée par la résistance R₁ = 330 Ω à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 680 Ω et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode ID en mA.

Vs = 6 VR1 = 330 ΩR2 = 680 ΩVD = 0,7 V
ID = mA
2.Facile
+−18 V150 Ω12 VIR​ = ?

Une diode Zener de 12 V est alimentée sous 18 V à travers une résistance de 150 Ω, sans charge connectée. Trouvez le courant IR dans la résistance.

Vin = 18 VVZ = 12 VR = 150 Ω
IR = mA
3.Moyen
RC​ = 5,6 kΩβ = 150IC​ = ?RE​ = 1 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 47 kΩR2​ = 8,2 kΩ

Un transistor NPN de β = 150 est polarisé par un pont diviseur à partir de VCC = 18 V : R₁ = 47 kΩ entre VCC et la base, et R₂ = 8,2 kΩ entre la base et la masse. La résistance de collecteur vaut RC = 5,6 kΩ et la résistance d’émetteur RE = 1 kΩ. Prenez VBE = 0,7 V et utilisez l’équivalent de Thévenin du pont diviseur (sans négliger le courant de base). Trouvez le courant de collecteur IC en mA.

VCC = 18 VR1 = 47 kΩR2 = 8,2 kΩRC = 5,6 kΩRE = 1 kΩβ = 150
IC = mA
4.Moyen
RC​ = 1,2 kΩβ = 150VCC​ = 12 VRB​ = 560 kΩ

Un transistor NPN de β = 150 est polarisé par une résistance de base RB = 560 kΩ reliée à l’alimentation VCC = 12 V. La résistance de collecteur vaut RC = 1,2 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez VBE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur VCE.

VCC = 12 VRB = 560 kΩRC = 1,2 kΩβ = 150VBE = 0,7 V
VCE = V
5.Difficile
RC​ = 100 Ωβ = 150IC​ = ?VCC​ = 12 V5 VRB​ = 220 kΩ

Un transistor NPN de β = 150 commande une résistance de charge de 100 Ω branchée entre VCC = 12 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base RB = 220 kΩ. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Trouvez le courant de collecteur IC en mA lorsque l’entrée est à l’état haut. Déterminez d’abord si le transistor est saturé.

VCC = 12 VRC = 100 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 220 kΩ
IC = mA
6.Difficile
RC​ = 150 Ωβ = 100VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

Un transistor NPN de β = 100 commande une résistance de charge de 150 Ω branchée entre VCC = 24 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base RB. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Trouvez la plus grande résistance de base RB, en kΩ, qui amène encore tout juste le transistor en saturation.

VCC = 24 VRC = 150 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Corrigé

  1. 1. ID = 15,03 mA
  2. 2. IR = 40 mA
  3. 3. IC = 1,874 mA
  4. 4. VCE = 8,368 V
  5. 5. IC = 2,932 mA
  6. 6. RB = 2,71 kΩ

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