Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Fiche d’exercices de Diodes et transistors gratuite et imprimable : 6 exercices, du niveau facile au niveau examen, avec corrigé. Imprimez-la ou enregistrez-la en PDF.

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Nom: ____________________   Date: ____________

1.Facile
+−Vs​12 VR1​ = 330 ΩR2​ = 1 kΩID​ = ?

Une source continue de 12 V est reliée par la résistance R₁ = 330 Ω à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 1 kΩ et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode ID en mA.

Vs = 12 VR1 = 330 ΩR2 = 1 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
2.Facile
+−Vs​5 VR1​ = 1,5 kΩR2​ = 4,7 kΩID​ = ?

Une source continue de 5 V est reliée par la résistance R₁ = 1,5 kΩ à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 4,7 kΩ et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode ID en mA.

Vs = 5 VR1 = 1,5 kΩR2 = 4,7 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Moyen
RC​ = 1,2 kΩβ = 120IC​ = ?VCC​ = 10 VRB​ = 560 kΩ

Un transistor NPN de β = 120 est polarisé par une résistance de base RB = 560 kΩ reliée à l’alimentation VCC = 10 V. La résistance de collecteur vaut RC = 1,2 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez VBE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez le courant de collecteur IC en mA.

VCC = 10 VRB = 560 kΩRC = 1,2 kΩβ = 120VBE = 0,7 V
IC = mA
4.Moyen
RC​ = 2,7 kΩβ = 150VCC​ = 15 VRB​ = 470 kΩ

Un transistor NPN de β = 150 est polarisé par une résistance de base RB = 470 kΩ reliée à l’alimentation VCC = 15 V. La résistance de collecteur vaut RC = 2,7 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez VBE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur VCE.

VCC = 15 VRB = 470 kΩRC = 2,7 kΩβ = 150VBE = 0,7 V
VCE = V
5.Difficile
RC​ = 330 Ωβ = 50IC​ = ?VCC​ = 24 V3,3 VRB​ = 1 kΩ

Un transistor NPN de β = 50 commande une résistance de charge de 330 Ω branchée entre VCC = 24 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 3,3 V à travers une résistance de base RB = 1 kΩ. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Trouvez le courant de collecteur IC en mA lorsque l’entrée est à l’état haut. Déterminez d’abord si le transistor est saturé.

VCC = 24 VRC = 330 Ωβ = 50Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 1 kΩ
IC = mA
6.Difficile
RC​ = 1 kΩβ = 100VCC​ = 9 V5 VRB​ = ?

Un transistor NPN de β = 100 commande une résistance de charge de 1 kΩ branchée entre VCC = 9 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base RB. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Pour une commutation fiable, dimensionnez le circuit pour un courant de base 5 fois supérieur au minimum nécessaire à la saturation. Trouvez RB en kΩ.

VCC = 9 VRC = 1 kΩβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vfacteur de sursaturation = 5
RB = kΩ

Corrigé

  1. 1. ID = 33,54 mA
  2. 2. ID = 2,718 mA
  3. 3. IC = 1,993 mA
  4. 4. VCE = 2,678 V
  5. 5. IC = 72,12 mA
  6. 6. RB = 9,773 kΩ

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