Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Une source continue de 5 V fait circuler un courant dans une résistance de 4,7 kΩ en série avec deux diodes au silicium polarisées en direct. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V par diode passante. Trouvez le courant I en mA.

Une diode Zener de 9,1 V est alimentée sous 20 V à travers une résistance de 470 Ω, sans charge connectée. Trouvez le courant I_R dans la résistance.

Un transistor NPN de β = 100 est polarisé par un pont diviseur à partir de V_CC = 18 V : R₁ = 47 kΩ entre V_CC et la base, et R₂ = 4,7 kΩ entre la base et la masse. La résistance de collecteur vaut R_C = 1,5 kΩ et la résistance d’émetteur R_E = 470 Ω. Prenez V_BE = 0,7 V et utilisez l’équivalent de Thévenin du pont diviseur (sans négliger le courant de base). Trouvez le courant de collecteur I_C en mA.

Un transistor NPN de β = 50 est polarisé par une résistance de base R_B = 820 kΩ reliée à l’alimentation V_CC = 15 V. La résistance de collecteur vaut R_C = 2,2 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez V_BE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Un transistor NPN de β = 100 commande une résistance de charge de 470 Ω branchée entre V_CC = 24 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 3,3 V à travers une résistance de base R_B. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Trouvez la plus grande résistance de base R_B, en kΩ, qui amène encore tout juste le transistor en saturation.

Un transistor NPN de β = 200 commande une résistance de charge de 100 Ω branchée entre V_CC = 9 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 3,3 V à travers une résistance de base R_B. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Trouvez la plus grande résistance de base R_B, en kΩ, qui amène encore tout juste le transistor en saturation.