Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Une source continue de 10 V est reliée par la résistance R₁ = 680 Ω à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 2,2 kΩ et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode I_D en mA.

Une source continue de 10 V est reliée par la résistance R₁ = 1,5 kΩ à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 470 Ω et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode I_D en mA.

Un transistor NPN de β = 120 est polarisé par une résistance de base R_B = 1000 kΩ reliée à l’alimentation V_CC = 15 V. La résistance de collecteur vaut R_C = 1,2 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez V_BE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez le courant de collecteur I_C en mA.

Un transistor NPN de β = 80 est polarisé par un pont diviseur à partir de V_CC = 18 V : R₁ = 47 kΩ entre V_CC et la base, et R₂ = 12 kΩ entre la base et la masse. La résistance de collecteur vaut R_C = 2,2 kΩ et la résistance d’émetteur R_E = 2,2 kΩ. Prenez V_BE = 0,7 V et utilisez l’équivalent de Thévenin du pont diviseur (sans négliger le courant de base). Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Un transistor NPN de β = 150 commande une résistance de charge de 220 Ω branchée entre V_CC = 12 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 3,3 V à travers une résistance de base R_B. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Trouvez la plus grande résistance de base R_B, en kΩ, qui amène encore tout juste le transistor en saturation.

Une diode est modélisée par 0,7 V en série avec 25 Ω (elle conduit au-dessus de 0,7 V). Elle est en série avec une résistance de 330 Ω aux bornes d’une alimentation de 12 V. Trouvez le courant de fonctionnement I_D à l’intersection de la caractéristique de la diode et de la droite de charge.