Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Fiche d’exercices de Diodes et transistors gratuite et imprimable : 6 exercices, du niveau facile au niveau examen, avec corrigé. Imprimez-la ou enregistrez-la en PDF.

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1.Facile
+−18 V330 Ω12 VIR​ = ?

Une diode Zener de 12 V est alimentée sous 18 V à travers une résistance de 330 Ω, sans charge connectée. Trouvez le courant IR dans la résistance.

Vin = 18 VVZ = 12 VR = 330 Ω
IR = mA
2.Facile
+−Vs​10 VR1​ = 1 kΩR2​ = 2,2 kΩID​ = ?

Une source continue de 10 V est reliée par la résistance R₁ = 1 kΩ à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 2,2 kΩ et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode ID en mA.

Vs = 10 VR1 = 1 kΩR2 = 2,2 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.Moyen
RC​ = 3,3 kΩβ = 50VCC​ = 15 VRB​ = 680 kΩ

Un transistor NPN de β = 50 est polarisé par une résistance de base RB = 680 kΩ reliée à l’alimentation VCC = 15 V. La résistance de collecteur vaut RC = 3,3 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez VBE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur VCE.

VCC = 15 VRB = 680 kΩRC = 3,3 kΩβ = 50VBE = 0,7 V
VCE = V
4.Moyen
+−12 VR = ?3 × 2,2 V5 mA

3 LED vertes (tension directe 2,2 V chacune) sont branchées en série avec une résistance sur une alimentation de 12 V. Trouvez la résistance R qui fixe le courant à 5 mA.

Vs = 12 VVF = 2,2 Vn = 3I = 5 mA
R = Ω
5.Difficile
RC​ = 150 Ωβ = 80IC​ = ?VCC​ = 24 V5 VRB​ = 4,7 kΩ

Un transistor NPN de β = 80 commande une résistance de charge de 150 Ω branchée entre VCC = 24 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base RB = 4,7 kΩ. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Trouvez le courant de collecteur IC en mA lorsque l’entrée est à l’état haut. Déterminez d’abord si le transistor est saturé.

VCC = 24 VRC = 150 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 4,7 kΩ
IC = mA
6.Difficile
RC​ = 1 kΩβ = 200VCC​ = 9 V3,3 VRB​ = ?

Un transistor NPN de β = 200 commande une résistance de charge de 1 kΩ branchée entre VCC = 9 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 3,3 V à travers une résistance de base RB. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Pour une commutation fiable, dimensionnez le circuit pour un courant de base 10 fois supérieur au minimum nécessaire à la saturation. Trouvez RB en kΩ.

VCC = 9 VRC = 1 kΩβ = 200Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vfacteur de sursaturation = 10
RB = kΩ

Corrigé

  1. 1. IR = 18,18 mA
  2. 2. ID = 8,982 mA
  3. 3. VCE = 11,53 V
  4. 4. R = 1080 Ω
  5. 5. IC = 73,19 mA
  6. 6. RB = 5,909 kΩ

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