Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Une source continue de 10 V fait circuler un courant dans une résistance de 680 Ω en série avec une diode au silicium polarisée en direct. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V par diode passante. Trouvez le courant I en mA.

Une source continue de 9 V est reliée par la résistance R₁ = 470 Ω à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 3,3 kΩ et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode I_D en mA.

Un transistor NPN de β = 120 est polarisé par une résistance de base R_B = 680 kΩ reliée à l’alimentation V_CC = 15 V. La résistance de collecteur vaut R_C = 1,5 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez V_BE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Un transistor NPN de β = 80 est polarisé par une résistance de base R_B = 390 kΩ reliée à l’alimentation V_CC = 9 V. La résistance de collecteur vaut R_C = 1,5 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez V_BE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Un transistor NPN de β = 150 commande une résistance de charge de 220 Ω branchée entre V_CC = 24 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base R_B. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Pour une commutation fiable, dimensionnez le circuit pour un courant de base 5 fois supérieur au minimum nécessaire à la saturation. Trouvez R_B en kΩ.

Un transistor NPN de β = 200 commande une résistance de charge de 680 Ω branchée entre V_CC = 5 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base R_B = 220 kΩ. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Trouvez le courant de collecteur I_C en mA lorsque l’entrée est à l’état haut. Déterminez d’abord si le transistor est saturé.