Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Fiche d’exercices de Diodes et transistors gratuite et imprimable : 6 exercices, du niveau facile au niveau examen, avec corrigé. Imprimez-la ou enregistrez-la en PDF.

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Nom: ____________________   Date: ____________

1.Facile
+−20 V470 Ω5,1 VIR​ = ?

Une diode Zener de 5,1 V est alimentée sous 20 V à travers une résistance de 470 Ω, sans charge connectée. Trouvez le courant IR dans la résistance.

Vin = 20 VVZ = 5,1 VR = 470 Ω
IR = mA
2.Facile
+−Vs​24 VR = 4,7 kΩD​I = ?

Une source continue de 24 V fait circuler un courant dans une résistance de 4,7 kΩ en série avec une diode au silicium polarisée en direct. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V par diode passante. Trouvez le courant I en mA.

Vs = 24 VR = 4,7 kΩVD = 0,7 V
I = mA
3.Moyen
+−18 V470 Ω5,1 V1000 ΩIZ​ = ?

Un régulateur Zener de 5,1 V est alimenté sous 18 V à travers 470 Ω et alimente une charge de 1000 Ω. Trouvez le courant Zener IZ.

Vin = 18 VVZ = 5,1 VR = 470 ΩRL = 1000 Ω
IZ = mA
4.Moyen
RC​ = 3,3 kΩβ = 75VCC​ = 9 VRB​ = 820 kΩ

Un transistor NPN de β = 75 est polarisé par une résistance de base RB = 820 kΩ reliée à l’alimentation VCC = 9 V. La résistance de collecteur vaut RC = 3,3 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez VBE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur VCE.

VCC = 9 VRB = 820 kΩRC = 3,3 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
VCE = V
5.Difficile
V (V)I (mA)0,699Q = ?

Une diode est modélisée par 0,6 V en série avec 20 Ω (elle conduit au-dessus de 0,6 V). Elle est en série avec une résistance de 1000 Ω aux bornes d’une alimentation de 9 V. Trouvez le courant de fonctionnement ID à l’intersection de la caractéristique de la diode et de la droite de charge.

Vs = 9 VR = 1000 ΩV0 = 0,6 Vrd = 20 Ω
ID = mA
6.Difficile
RC​ = 1 kΩβ = 200VCC​ = 9 V5 VRB​ = ?

Un transistor NPN de β = 200 commande une résistance de charge de 1 kΩ branchée entre VCC = 9 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base RB. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Trouvez la plus grande résistance de base RB, en kΩ, qui amène encore tout juste le transistor en saturation.

VCC = 9 VRC = 1 kΩβ = 200Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Corrigé

  1. 1. IR = 31,7 mA
  2. 2. I = 4,957 mA
  3. 3. IZ = 22,35 mA
  4. 4. VCE = 6,495 V
  5. 5. ID = 8,235 mA
  6. 6. RB = 97,73 kΩ

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