एक अनावेशित संधारित्र C = 2.2 µF को 5 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 22 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। संधारित्र वोल्टता का 10–90 % उत्थान समय tr ms में ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित सोपान अनुक्रिया वर्कशीट
एक अनावेशित संधारित्र C = 4.7 µF को 10 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 10 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। संधारित्र वोल्टता का 10–90 % उत्थान समय tr ms में ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 40.5/(s² + 6s + 81) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। ध्रुव s = σ ± jωd हैं। वास्तविक भाग σ ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 153/(s² + 9s + 51) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। ध्रुव s = σ ± jωd हैं। वास्तविक भाग σ ज्ञात कीजिए।
R = 253 Ω, L = 100 mH और C = 1 µF वाला एक श्रेणी RLC परिपथ t = 0 पर 24 V सोपान से जोड़ा जाता है। सोपान से पहले संधारित्र अनावेशित है और कोई धारा नहीं बहती। संधारित्र वोल्टता का प्रतिशत अतिलंघन %OS ज्ञात कीजिए।
शून्यों के बिना एक द्वितीय-कोटि तंत्र की सोपान अनुक्रिया 40 % अतिलंघन दिखाती है, और पहला शिखर t = 0.25 s पर आता है। प्राकृतिक आवृत्ति ωn ज्ञात कीजिए।
उत्तर कुंजी
- 1. tr = 106.3 ms
- 2. tr = 103.3 ms
- 3. σ = −3
- 4. σ = −4.5
- 5. %OS = 25.38 %
- 6. ωn = 13.09 rad/s
पूरे चरण-दर-चरण हल: इस विषय का अभ्यास examproblems.com पर करें।