एक अनावेशित संधारित्र C = 4.7 µF को 24 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 22 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। संधारित्र वोल्टता का 10–90 % उत्थान समय tr ms में ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित सोपान अनुक्रिया वर्कशीट
एक अनावेशित संधारित्र C = 2.2 µF को 10 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 1 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। t = 1.1 ms पर संधारित्र वोल्टता vC ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 61/(s² + 10s + 61) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। ध्रुव s = σ ± jωd हैं। वास्तविक भाग σ ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 11/(s² + 3s + 11) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। अवमंदन अनुपात ζ ज्ञात कीजिए।
R = 18 Ω, L = 100 mH और C = 47 µF वाला एक श्रेणी RLC परिपथ t = 0 पर 24 V सोपान से जोड़ा जाता है। सोपान से पहले संधारित्र अनावेशित है और कोई धारा नहीं बहती। अनवमंदित प्राकृतिक आवृत्ति ωn rad/s में ज्ञात कीजिए।
शून्यों के बिना एक द्वितीय-कोटि तंत्र की सोपान अनुक्रिया में 12 % अतिलंघन होना चाहिए। अवमंदन अनुपात ζ ज्ञात कीजिए।
उत्तर कुंजी
- 1. tr = 227.2 ms
- 2. vC = 3.935 V
- 3. σ = −5
- 4. ζ = 0.4523
- 5. ωn = 461.3 rad/s
- 6. ζ = 0.5594
पूरे चरण-दर-चरण हल: इस विषय का अभ्यास examproblems.com पर करें।