Un generatore in continua da 15 V è collegato tramite il resistore R₁ = 1,5 kΩ a un nodo X. Dal nodo X al morsetto negativo del generatore ci sono due percorsi in parallelo: il resistore R₂ = 680 Ω e un diodo al silicio con l’anodo in X. Usa il modello a caduta costante con 0,7 V. Trova la corrente nel diodo ID in mA.
Un generatore in continua da 5 V fa circolare corrente in un resistore da 680 Ω in serie con due diodi al silicio polarizzati direttamente. Usa il modello a caduta costante con 0,7 V per ogni diodo in conduzione. Trova la corrente I in mA.
Un transistor NPN con β = 200 è polarizzato con un partitore di tensione da VCC = 18 V: R₁ = 39 kΩ da VCC alla base e R₂ = 12 kΩ dalla base a massa. Il resistore di collettore è RC = 1,5 kΩ e il resistore di emettitore è RE = 1,5 kΩ. Assumi VBE = 0,7 V e usa l’equivalente di Thévenin del partitore (non trascurare la corrente di base). Trova la corrente di collettore IC in mA.
Un transistor NPN con β = 150 è polarizzato da un resistore di base RB = 1000 kΩ collegato all’alimentazione VCC = 12 V. Il resistore di collettore è RC = 4,7 kΩ e l’emettitore è a massa. Assumi VBE = 0,7 V e che il transistor sia in zona attiva. Trova la corrente di collettore IC in mA.
Un diodo è modellato come 0,6 V in serie con 50 Ω (conduce sopra 0,6 V). È in serie con un resistore da 330 Ω ai capi di un’alimentazione di 6 V. Trova la corrente di lavoro ID dove la retta del diodo incontra la retta di carico.
Un transistor NPN con β = 80 commuta un resistore di carico da 680 Ω collegato tra VCC = 12 V e il suo collettore. L’emettitore è a massa. La base è pilotata da un’uscita logica a 5 V attraverso un resistore di base RB. Assumi VBE = 0,7 V e VCE(sat) = 0,2 V. Per una commutazione affidabile, progetta per una corrente di base 10 volte quella minima necessaria per la saturazione. Trova RB in kΩ.
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