解答つきダイオードとトランジスタワークシート

6 V の直流電源が抵抗 R₁ = 330 Ω を通して節点 X につながっている。節点 X から電源の負端子までは 2 つの並列な経路がある：抵抗 R₂ = 2.2 kΩ と、アノードを X 側にしたシリコンダイオードである。0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。ダイオード電流 I_D を mA で求めよ。

3.3 V のツェナーダイオードに、150 Ω の抵抗を通して 9 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 I_R を求めなさい。

β = 100 の NPN トランジスタが、V_CC = 18 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 68 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 12 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 2.2 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1.5 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 200 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 100 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 15 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 5.6 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1.2 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ電流 I_C を mA で求めよ。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 24 V とコレクタの間に接続された 100 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 5 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。

ダイオードを、0.7 V と 5 Ω の直列（0.7 V 以上で導通）としてモデル化します。これを 1000 Ω の抵抗と直列にして 5 V の電源につなぎます。ダイオードの直線が負荷線と交わる動作電流 I_D を求めなさい。