解答つきダイオードとトランジスタワークシート

5.1 V のツェナーダイオードに、150 Ω の抵抗を通して 12 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 I_R を求めなさい。

24 V の直流電源が、680 Ω の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

5.6 V のツェナーレギュレータに 680 Ω を通して 9 V を加え、2200 Ω の負荷に供給します。ツェナー電流 I_Z を求めなさい。

β = 200 の NPN トランジスタが、V_CC = 18 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 100 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 22 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 3.3 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1.5 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 50 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 470 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 3 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。

β = 50 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 150 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 3 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。