解答つきダイオードとトランジスタワークシート

15 V の直流電源が、680 Ω の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

12 V の直流電源が抵抗 R₁ = 330 Ω を通して節点 X につながっている。節点 X から電源の負端子までは 2 つの並列な経路がある：抵抗 R₂ = 4.7 kΩ と、アノードを X 側にしたシリコンダイオードである。0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。ダイオード電流 I_D を mA で求めよ。

β = 100 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 9 V からベース抵抗 R_B = 820 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 4.7 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

5.1 V のツェナーレギュレータに 470 Ω を通して 18 V を加え、3300 Ω の負荷に供給します。ツェナー電流 I_Z を求めなさい。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 9 V とコレクタの間に接続された 150 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 2 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。

β = 200 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V とコレクタの間に接続された 100 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B = 47 kΩ を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 入力がハイのときのコレクタ電流 I_C を mA で求めよ。まずトランジスタが飽和しているかどうかを判断せよ。