解答つきダイオードとトランジスタワークシート

12 V のツェナーダイオードに、150 Ω の抵抗を通して 18 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 I_R を求めなさい。

5 V の直流電源が、330 Ω の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 15 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 39 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 8.2 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 2.2 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 680 Ω である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 200 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 56 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 10 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 1 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 680 Ω である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

ダイオードを、0.6 V と 20 Ω の直列（0.6 V 以上で導通）としてモデル化します。これを 100 Ω の抵抗と直列にして 3 V の電源につなぎます。ダイオードの直線が負荷線と交わる動作電流 I_D を求めなさい。

β = 50 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 680 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 2 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。