解答つきダイオードとトランジスタワークシート

6 V の直流電源が、3.3 kΩ の抵抗と順バイアスの 2 個のシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

15 V の直流電源が抵抗 R₁ = 1 kΩ を通して節点 X につながっている。節点 X から電源の負端子までは 2 つの並列な経路がある：抵抗 R₂ = 470 Ω と、アノードを X 側にしたシリコンダイオードである。0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。ダイオード電流 I_D を mA で求めよ。

β = 150 の NPN トランジスタが、V_CC = 20 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 68 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 10 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 3.3 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 470 Ω である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 75 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 10 V からベース抵抗 R_B = 560 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1.2 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ電流 I_C を mA で求めよ。

β = 150 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V とコレクタの間に接続された 680 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B = 2.2 kΩ を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 入力がハイのときのコレクタ電流 I_C を mA で求めよ。まずトランジスタが飽和しているかどうかを判断せよ。

β = 50 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 680 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 R_B を kΩ で求めよ。