解答つきダイオードとトランジスタワークシート

10 V の直流電源が、3.3 kΩ の抵抗と順バイアスの 2 個のシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

順方向電圧 2 V の 赤 LED を、9 V の電源から直列抵抗を通して点灯します。LED の電流を 20 mA にする抵抗値 R を求めなさい。

β = 120 の NPN トランジスタが、V_CC = 18 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 47 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 15 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 4.7 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1.5 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 75 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 15 V からベース抵抗 R_B = 150 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1.5 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

ダイオードを、0.7 V と 10 Ω の直列（0.7 V 以上で導通）としてモデル化します。これを 1000 Ω の抵抗と直列にして 5 V の電源につなぎます。ダイオードの直線が負荷線と交わる動作電流 I_D を求めなさい。

β = 150 の NPN トランジスタが、V_CC = 9 V とコレクタの間に接続された 220 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 10 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。