解答つきダイオードとトランジスタワークシート

10 V の直流電源が、220 Ω の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

15 V の直流電源が、330 Ω の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

β = 75 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 10 V からベース抵抗 R_B = 820 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1.5 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 120 の NPN トランジスタが、V_CC = 20 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 56 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 15 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 3.3 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1.2 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

5.6 V のツェナーレギュレータに 270 Ω の直列抵抗があります。入力は 13 V まで上がることがあり、負荷が外れることもあります。ツェナーが消費しなければならない最大電力 P_Z,max を求めなさい。

β = 150 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 150 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 5 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。