解答つきダイオードとトランジスタワークシート

9 V の直流電源が、4.7 kΩ の抵抗と順バイアスの 2 個のシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

6.2 V のツェナーダイオードに、470 Ω の抵抗を通して 9 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 I_R を求めなさい。

β = 80 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 12 V からベース抵抗 R_B = 150 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1.2 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ電流 I_C を mA で求めよ。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 18 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 47 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 6.8 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 2.2 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1.5 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ電流 I_C を mA で求めよ。

5.6 V のツェナーレギュレータに 270 Ω の直列抵抗があります。入力は 11 V まで上がることがあり、負荷が外れることもあります。ツェナーが消費しなければならない最大電力 P_Z,max を求めなさい。

β = 200 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V とコレクタの間に接続された 150 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 R_B を kΩ で求めよ。