解答つきダイオードとトランジスタワークシート

6 V の直流電源が、2.2 kΩ の抵抗と順バイアスの 2 個のシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

5.1 V のツェナーダイオードに、330 Ω の抵抗を通して 18 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 I_R を求めなさい。

β = 120 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 10 V からベース抵抗 R_B = 390 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1.2 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ電流 I_C を mA で求めよ。

β = 80 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 12 V からベース抵抗 R_B = 560 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 4.7 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

ダイオードを、0.7 V と 10 Ω の直列（0.7 V 以上で導通）としてモデル化します。これを 470 Ω の抵抗と直列にして 3 V の電源につなぎます。ダイオードの直線が負荷線と交わる動作電流 I_D を求めなさい。

β = 200 の NPN トランジスタが、V_CC = 24 V とコレクタの間に接続された 150 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 3 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。