解答つきダイオードとトランジスタワークシート

15 V の直流電源が抵抗 R₁ = 2.2 kΩ を通して節点 X につながっている。節点 X から電源の負端子までは 2 つの並列な経路がある：抵抗 R₂ = 10 kΩ と、アノードを X 側にしたシリコンダイオードである。0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。ダイオード電流 I_D を mA で求めよ。

24 V の直流電源が、680 Ω の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

6.2 V のツェナーレギュレータに 150 Ω を通して 24 V を加え、680 Ω の負荷に供給します。ツェナー電流 I_Z を求めなさい。

β = 200 の NPN トランジスタが、V_CC = 20 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 100 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 8.2 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 5.6 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 100 の NPN トランジスタが、V_CC = 9 V とコレクタの間に接続された 220 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 5 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。

β = 150 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V とコレクタの間に接続された 220 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 3 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。