解答つきダイオードとトランジスタワークシート

24 V の直流電源が、3.3 kΩ の抵抗と順バイアスの 2 個のシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

3.3 V のツェナーダイオードに、470 Ω の抵抗を通して 12 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 I_R を求めなさい。

β = 120 の NPN トランジスタが、V_CC = 20 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 82 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 10 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 1 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1.5 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ電流 I_C を mA で求めよ。

12 V のツェナーレギュレータに 220 Ω を通して 18 V を加え、1500 Ω の負荷に供給します。ツェナー電流 I_Z を求めなさい。

ダイオードを、0.65 V と 25 Ω の直列（0.65 V 以上で導通）としてモデル化します。これを 150 Ω の抵抗と直列にして 12 V の電源につなぎます。ダイオードの直線が負荷線と交わる動作電流 I_D を求めなさい。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V とコレクタの間に接続された 150 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 5 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。