정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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1.쉬움
+−Vs​6 VR = 1 kΩD​I = ?

6 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 1 kΩ 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 6 VR = 1 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.쉬움
+−Vs​9 VR = 330 ΩD1​D2​I = ?

9 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드 두 개와 직렬로 연결된 330 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 9 VR = 330 ΩVD = 0.7 V
I = mA
3.보통
RC​ = 1 kΩβ = 150RE​ = 2.2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 47 kΩR2​ = 6.8 kΩ

β = 150인 NPN 트랜지스터가 VCC = 18 V에서 전압 분배 바이어스된다: VCC에서 베이스까지 R₁ = 47 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 6.8 kΩ. 컬렉터 저항은 RC = 1 kΩ, 이미터 저항은 RE = 2.2 kΩ이다. VBE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.

VCC = 18 VR1 = 47 kΩR2 = 6.8 kΩRC = 1 kΩRE = 2.2 kΩβ = 150
VCE = V
4.보통
RC​ = 2.2 kΩβ = 50IC​ = ?VCC​ = 15 VRB​ = 560 kΩ

β = 50인 NPN 트랜지스터가 전원 VCC = 15 V에서 베이스 저항 RB = 560 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 RC = 2.2 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. VBE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오.

VCC = 15 VRB = 560 kΩRC = 2.2 kΩβ = 50VBE = 0.7 V
IC = mA
5.어려움
V (V)I (mA)0.651254.55Q = ?

다이오드를 5 Ω과 직렬인 0.65 V로 모델링합니다(0.65 V 이상에서 도통). 이 다이오드가 220 Ω 저항과 직렬로 12 V 전원에 연결되어 있습니다. 다이오드 직선과 부하선이 만나는 동작 전류 ID을(를) 구하시오.

Vs = 12 VR = 220 ΩV0 = 0.65 Vrd = 5 Ω
ID = mA
6.어려움
V (V)I (mA)0.6940.91Q = ?

다이오드를 50 Ω과 직렬인 0.6 V로 모델링합니다(0.6 V 이상에서 도통). 이 다이오드가 220 Ω 저항과 직렬로 9 V 전원에 연결되어 있습니다. 다이오드 직선과 부하선이 만나는 동작 전류 ID을(를) 구하시오.

Vs = 9 VR = 220 ΩV0 = 0.6 Vrd = 50 Ω
ID = mA

정답표

  1. 1. I = 5.3 mA
  2. 2. I = 23.03 mA
  3. 3. VCE = 15.75 V
  4. 4. IC = 1.277 mA
  5. 5. ID = 50.44 mA
  6. 6. ID = 31.11 mA

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