정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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1.쉬움
+−Vs​24 VR = 680 ΩD1​D2​I = ?

24 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드 두 개와 직렬로 연결된 680 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 24 VR = 680 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.쉬움
+−15 V270 Ω5.1 VIR​ = ?

5.1 V 제너 다이오드에 270 Ω 저항을 통해 15 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 IR을(를) 구하시오.

Vin = 15 VVZ = 5.1 VR = 270 Ω
IR = mA
3.보통
+−15 V270 Ω9.1 V1500 ΩIZ​ = ?

9.1 V 제너 레귤레이터에 270 Ω을 통해 15 V를 공급하며 1500 Ω 부하에 전력을 줍니다. 제너 전류 IZ을(를) 구하시오.

Vin = 15 VVZ = 9.1 VR = 270 ΩRL = 1500 Ω
IZ = mA
4.보통
RC​ = 3.3 kΩβ = 150IC​ = ?RE​ = 1 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 82 kΩR2​ = 22 kΩ

β = 150인 NPN 트랜지스터가 VCC = 18 V에서 전압 분배 바이어스된다: VCC에서 베이스까지 R₁ = 82 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 22 kΩ. 컬렉터 저항은 RC = 3.3 kΩ, 이미터 저항은 RE = 1 kΩ이다. VBE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오.

VCC = 18 VR1 = 82 kΩR2 = 22 kΩRC = 3.3 kΩRE = 1 kΩβ = 150
IC = mA
5.어려움
RC​ = 1 kΩβ = 80VCC​ = 9 V3.3 VRB​ = ?

β = 80인 NPN 트랜지스터가 VCC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 1 kΩ 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.

VCC = 9 VRC = 1 kΩβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.어려움
RC​ = 100 Ωβ = 100IC​ = ?VCC​ = 5 V5 VRB​ = 33 kΩ

β = 100인 NPN 트랜지스터가 VCC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 100 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB = 33 kΩ을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 입력이 high일 때 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오. 먼저 트랜지스터가 포화되는지 판단하시오.

VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 33 kΩ
IC = mA

정답표

  1. 1. I = 33.24 mA
  2. 2. IR = 36.67 mA
  3. 3. IZ = 15.79 mA
  4. 4. IC = 2.769 mA
  5. 5. RB = 23.64 kΩ
  6. 6. IC = 13.03 mA

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