3 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 220 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지
1.쉬움
Vs = 3 VR = 220 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.쉬움
24 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 680 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 24 VR = 680 ΩVD = 0.7 V
I = mA
3.보통
5 파랑개의 LED(각각 순방향 전압 3.2 V)가 저항과 직렬로 24 V 전원에 연결되어 있습니다. 전류를 25 mA로 정하는 저항 R을(를) 구하시오.
Vs = 24 VVF = 3.2 Vn = 5I = 25 mA
R = Ω
4.보통
β = 200인 NPN 트랜지스터가 전원 VCC = 12 V에서 베이스 저항 RB = 390 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 RC = 1.5 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. VBE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.
VCC = 12 VRB = 390 kΩRC = 1.5 kΩβ = 200VBE = 0.7 V
VCE = V
5.어려움
β = 50인 NPN 트랜지스터가 VCC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 470 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
VCC = 9 VRC = 470 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.어려움
다이오드를 5 Ω과 직렬인 0.65 V로 모델링합니다(0.65 V 이상에서 도통). 이 다이오드가 220 Ω 저항과 직렬로 6 V 전원에 연결되어 있습니다. 다이오드 직선과 부하선이 만나는 동작 전류 ID을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR = 220 ΩV0 = 0.65 Vrd = 5 Ω
ID = mA
정답표
- 1. I = 10.45 mA
- 2. I = 34.26 mA
- 3. R = 320 Ω
- 4. VCE = 3.308 V
- 5. RB = 11.48 kΩ
- 6. ID = 23.78 mA
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