그림의 브리지에 Vs = 5 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 5 VR1 = 100 ΩR2 = 800 ΩR3 = 20 ΩR4 = 1000 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 9 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 9 VR1 = 800 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 150 ΩR4 = 80 Ω
Vab = V
3.보통
네 변이 모두 100 Ω인 브리지에 10 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 283 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR = 100 ΩVab = 283 mV
ΔR = Ω
4.보통
저항 500 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 2 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 600 ΩR2 = 250 ΩR3 = 200 ΩR4 = 60 ΩRg = 500 Ω
Ig = µA
5.어려움
게이지율 2.05인 1000 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 3.075 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 1000 ΩGF = 2.05ΔR = 3.075 Ω
ε = µε
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2.12)인 1/4 브리지에 2.5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 0.994 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.12Vo = 0.994 mV
ε = µε
정답표
- 1. Is = 10.46 mA
- 2. Vab = 1.87 V
- 3. ΔR = 12 Ω
- 4. Ig = 175.3 µA
- 5. ε = 1500 µε
- 6. ε = 750.2 µε
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