그림의 브리지에 Vs = 3 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 3 VR1 = 400 ΩR2 = 50 ΩR3 = 200 ΩR4 = 100 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 2 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 40 ΩR2 = 50 ΩR3 = 80 ΩR4 = 120 Ω
Vab = V
3.보통
브리지의 네 변이 모두 470 Ω이고 Vs = 3 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 4.7 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VR = 470 ΩΔR = 4.7 Ω
Vab = mV
4.보통
저항 200 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 5 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 150 ΩR2 = 250 ΩR3 = 250 ΩR4 = 120 ΩRg = 200 Ω
Ig = µA
5.어려움
게이지율 2.1인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.1008 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2.1ΔR = 0.1008 Ω
ε = µε
6.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.05ε = 500 µε
Vo = mV
정답표
- 1. Is = 16.67 mA
- 2. Vab = −0.08889 V
- 3. Vab = 7.5 mV
- 4. Ig = 4011 µA
- 5. ε = 400 µε
- 6. Vo = 0.7687 mV
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