그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 250 Ω, R₂ = 300 Ω, R₃ = 500 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 250 ΩR2 = 300 ΩR3 = 500 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 300 Ω, R₂ = 300 Ω, R₄ = 100 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 300 ΩR2 = 300 ΩR4 = 100 Ω
R3 = Ω
3.보통
브리지의 네 변이 모두 330 Ω이고 Vs = 3 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 49.5 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VR = 330 ΩΔR = 49.5 Ω
Vab = mV
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 60 ΩR2 = 500 ΩR3 = 120 ΩR4 = 150 Ω
Rth = Ω
5.어려움
네 변이 1000 Ω인 브리지에 2.5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.1ε = 1000 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2.05인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.0492 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2.05ΔR = 0.0492 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 600 Ω
- 2. R3 = 100 Ω
- 3. Vab = 104.7 mV
- 4. Rth = 120.2 Ω
- 5. Vo = 1.313 mV
- 6. ε = 200 µε
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