그림의 브리지에서 Vs = 9 V, R₁ = 20 Ω, R₂ = 120 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 9 VR1 = 20 ΩR2 = 120 ΩR3 = 1000 ΩR4 = 250 Ω
Va = V
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 2 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 80 ΩR2 = 500 ΩR3 = 100 ΩR4 = 80 Ω
Is = mA
3.보통
500 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 500 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 5 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 5 VR = 500 Ω
Pg = mW
4.보통
브리지의 네 변이 모두 350 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 2.8 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR = 350 ΩΔR = 2.8 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2ε = 1500 µε
Vo = mV
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.05)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 600 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 10 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.05εmax = 600 µεVFS = 10 V
G =
정답표
- 1. Va = 7.714 V
- 2. Is = 14.56 mA
- 3. Pg = 12.5 mW
- 4. Vab = 20 mV
- 5. Vo = 4.5 mV
- 6. G = 3252
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