그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 60 Ω, R₂ = 20 Ω, R₄ = 150 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 60 ΩR2 = 20 ΩR4 = 150 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 1000 Ω, R₂ = 10 Ω, R₄ = 20 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 1000 ΩR2 = 10 ΩR4 = 20 Ω
R3 = Ω
3.보통
저항 50 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 3 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 3 VR1 = 120 ΩR2 = 100 ΩR3 = 120 ΩR4 = 600 ΩRg = 50 Ω
Ig = µA
4.보통
250 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 250 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 5 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 5 VR = 250 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.12이고 변형률은 200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.12ε = 200 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.36 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.36 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 450 Ω
- 2. R3 = 2000 Ω
- 3. Ig = −5556 µA
- 4. Pg = 25 mW
- 5. Vo = 0.53 mV
- 6. ε = 1500 µε
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