그림의 브리지에서 Vs = 10 V, R₁ = 250 Ω, R₂ = 600 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 10 VR1 = 250 ΩR2 = 600 ΩR3 = 1000 ΩR4 = 800 Ω
Va = V
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 80 Ω, R₂ = 120 Ω, R₃ = 500 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 80 ΩR2 = 120 ΩR3 = 500 Ω
R4 = Ω
3.보통
저항 200 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 6 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR1 = 250 ΩR2 = 60 ΩR3 = 500 ΩR4 = 150 ΩRg = 200 Ω
Ig = µA
4.보통
브리지의 네 변이 모두 250 Ω이고 Vs = 2 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.5 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2 VR = 250 ΩΔR = 0.5 Ω
Vab = mV
5.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 500 kg에서 3 mV/V입니다. 여기 전압은 12 V입니다. 하중 125 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
3 mV/VFrated = 500 kgVs = 12 VF = 125 kg
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.24 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.24 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Va = 7.059 V
- 2. R4 = 750 Ω
- 3. Ig = −613.9 µA
- 4. Vab = 1 mV
- 5. Vo = 9 mV
- 6. ε = 1000 µε
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