그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 50 Ω, R₂ = 1000 Ω, R₃ = 60 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 50 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 60 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 12 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 200 ΩR2 = 250 ΩR3 = 400 ΩR4 = 100 Ω
Vab = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 120 ΩR2 = 600 ΩR3 = 800 ΩR4 = 200 Ω
Rth = Ω
4.보통
브리지의 네 변이 모두 200 Ω이고 Vs = 5 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.8 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR = 200 ΩΔR = 0.8 Ω
Vab = mV
5.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 100 kg에서 2.5 mV/V입니다. 여기 전압은 12 V입니다. 하중 25 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
2.5 mV/VFrated = 100 kgVs = 12 VF = 25 kg
Vo = mV
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 2.5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 0.5 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2Vo = 0.5 mV
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 1200 Ω
- 2. Vab = 4.267 V
- 3. Rth = 260 Ω
- 4. Vab = 5 mV
- 5. Vo = 7.5 mV
- 6. ε = 400 µε
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