그림의 브리지에서 Vs = 9 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 9 VR1 = 500 ΩR2 = 50 ΩR3 = 80 ΩR4 = 600 Ω
Vab = V
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 6 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR1 = 800 ΩR2 = 10 ΩR3 = 50 ΩR4 = 10 Ω
Vab = V
3.보통
브리지의 네 변이 모두 470 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 4.7 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 470 ΩΔR = 4.7 Ω
Vab = mV
4.보통
브리지의 네 변이 모두 330 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 26.4 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 330 ΩΔR = 26.4 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 2.5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 400 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2ε = 400 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2.1인 1000 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 2.52 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 1000 ΩGF = 2.1ΔR = 2.52 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Vab = −7.123 V
- 2. Vab = −0.9259 V
- 3. Vab = 15 mV
- 4. Vab = 115.4 mV
- 5. Vo = 2 mV
- 6. ε = 1200 µε
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