그림의 브리지에 Vs = 10 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 10 VR1 = 1000 ΩR2 = 800 ΩR3 = 100 ΩR4 = 120 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 6 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR1 = 1000 ΩR2 = 20 ΩR3 = 80 ΩR4 = 100 Ω
Vab = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR1 = 500 ΩR2 = 40 ΩR3 = 50 ΩR4 = 400 Ω
Rth = Ω
4.보통
브리지의 네 변이 모두 350 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 52.5 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR = 350 ΩΔR = 52.5 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 2.5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 1200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.05ε = 1200 µε
Vo = mV
6.어려움
E = 210 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2)가 2.5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.25 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2Vo = 1.25 mVE = 210 GPa
σ = MPa
정답표
- 1. Is = 51.01 mA
- 2. Vab = −3.216 V
- 3. Rth = 81.48 Ω
- 4. Vab = 348.8 mV
- 5. Vo = 3.075 mV
- 6. σ = 210 MPa
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