그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 60 Ω, R₂ = 100 Ω, R₄ = 120 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 60 ΩR2 = 100 ΩR4 = 120 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 5 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 200 ΩR2 = 120 ΩR3 = 40 ΩR4 = 300 Ω
Is = mA
3.보통
470 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 470 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 5 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 5 VR = 470 Ω
Pg = mW
4.보통
네 변이 모두 500 Ω인 브리지에 5 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 141.5 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 5 VR = 500 ΩVab = 141.5 mV
ΔR = Ω
5.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 1000 kg에서 2 mV/V입니다. 여기 전압은 10 V입니다. 하중 250 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
2 mV/VFrated = 1000 kgVs = 10 VF = 250 kg
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 1000 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.5 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 1000 ΩGF = 2ΔR = 0.5 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 72 Ω
- 2. Is = 30.33 mA
- 3. Pg = 13.3 mW
- 4. ΔR = 60 Ω
- 5. Vo = 5 mV
- 6. ε = 250 µε
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