그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 800 Ω, R₂ = 1000 Ω, R₃ = 400 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 800 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 400 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 2 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 400 ΩR2 = 250 ΩR3 = 250 ΩR4 = 100 Ω
Vab = V
3.보통
브리지의 네 변이 모두 220 Ω이고 Vs = 5 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 2.2 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VR = 220 ΩΔR = 2.2 Ω
Vab = mV
4.보통
150 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 150 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 10 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 10 VR = 150 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 800 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1ε = 800 µε
Vo = mV
6.어려움
E = 70 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2)가 5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.25 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2Vo = 1.25 mVE = 70 GPa
σ = MPa
정답표
- 1. R4 = 500 Ω
- 2. Vab = 0.1978 V
- 3. Vab = 12.5 mV
- 4. Pg = 166.7 mW
- 5. Vo = 4.2 mV
- 6. σ = 35 MPa
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