그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 800 Ω, R₂ = 500 Ω, R₃ = 20 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 800 ΩR2 = 500 ΩR3 = 20 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 300 Ω, R₂ = 250 Ω, R₄ = 500 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 300 ΩR2 = 250 ΩR4 = 500 Ω
R3 = Ω
3.보통
브리지의 네 변이 모두 150 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.3 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 150 ΩΔR = 0.3 Ω
Vab = mV
4.보통
350 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 350 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 5 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 5 VR = 350 Ω
Pg = mW
5.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 1000 kg에서 1 mV/V입니다. 여기 전압은 5 V입니다. 하중 600 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
1 mV/VFrated = 1000 kgVs = 5 VF = 600 kg
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2.12인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.8904 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2.12ΔR = 0.8904 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 12.5 Ω
- 2. R3 = 600 Ω
- 3. Vab = 4.5 mV
- 4. Pg = 17.86 mW
- 5. Vo = 3 mV
- 6. ε = 1200 µε
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