정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지

무료 인쇄용 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지: 쉬운 문제부터 시험 수준까지 6문제, 정답표 포함. 인쇄하거나 PDF로 저장하세요.

교수자 안내: 수업에서 무료로 인쇄, 복사, 사용할 수 있습니다. 새 워크시트마다 값이 새로 바뀌고 별도의 정답이 함께 제공됩니다. 강의 페이지에 ExamProblems 링크를 걸어 주시면 감사하겠습니다.

이름: ____________________   날짜: ____________

1.쉬움
+−6 VR1​ = 50 ΩR2​ = 10 ΩR3​ = 150 ΩR4​ = 600 Ωab+−

그림의 브리지에 Vs = 6 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 6 VR1 = 50 ΩR2 = 10 ΩR3 = 150 ΩR4 = 600 Ω
Is = mA
2.쉬움
+−12 VR1​ = 800 ΩR2​ = 800 ΩR3​ = 1000 ΩR4​ = 800 Ωab+−

그림의 브리지에서 Vs = 12 V, R₁ = 800 Ω, R₂ = 800 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.

Vs = 12 VR1 = 800 ΩR2 = 800 ΩR3 = 1000 ΩR4 = 800 Ω
Va = V
3.보통
+−2 VR1​ = 300 ΩR2​ = 1000 ΩR3​ = 60 ΩR4​ = 10 ΩabGRg​ = 50 Ω

저항 50 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 2 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.

Vs = 2 VR1 = 300 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 60 ΩR4 = 10 ΩRg = 50 Ω
Ig = µA
4.보통
+−10 VR1​ = 100 ΩR2​ = 600 ΩR3​ = 400 ΩR4​ = 60 Ωab+−Rth​ = ?

그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.

Vs = 10 VR1 = 100 ΩR2 = 600 ΩR3 = 400 ΩR4 = 60 Ω
Rth = Ω
5.어려움
+−V120 Ω120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−

게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.096 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.

R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.096 Ω
ε = µε
6.어려움
+−V350 Ω350 Ω + ΔR350 Ω350 Ωab+−

게이지율 2.1인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.441 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.

R = 350 ΩGF = 2.1ΔR = 0.441 Ω
ε = µε

정답표

  1. 1. Is = 108 mA
  2. 2. Va = 6 V
  3. 3. Ig = 4330 µA
  4. 4. Rth = 137.9 Ω
  5. 5. ε = 400 µε
  6. 6. ε = 600 µε

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