그림의 브리지에서 Vs = 10 V, R₁ = 80 Ω, R₂ = 20 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 10 VR1 = 80 ΩR2 = 20 ΩR3 = 250 ΩR4 = 600 Ω
Va = V
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 50 Ω, R₂ = 10 Ω, R₄ = 200 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 50 ΩR2 = 10 ΩR4 = 200 Ω
R3 = Ω
3.보통
저항 50 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 15 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 800 ΩR2 = 120 ΩR3 = 60 ΩR4 = 1000 ΩRg = 50 Ω
Ig = µA
4.보통
브리지의 네 변이 모두 250 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 50 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR = 250 ΩΔR = 50 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.12이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.12ε = 1500 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2.12인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.2544 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2.12ΔR = 0.2544 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Va = 2 V
- 2. R3 = 1000 Ω
- 3. Ig = −57807 µA
- 4. Vab = 454.5 mV
- 5. Vo = 7.95 mV
- 6. ε = 1000 µε
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