그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 10 Ω, R₂ = 250 Ω, R₄ = 150 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 10 ΩR2 = 250 ΩR4 = 150 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 2 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 1000 ΩR2 = 800 ΩR3 = 400 ΩR4 = 80 Ω
Vab = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 50 ΩR2 = 50 ΩR3 = 150 ΩR4 = 600 Ω
Rth = Ω
4.보통
저항 100 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 15 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 150 ΩR2 = 50 ΩR3 = 400 ΩR4 = 20 ΩRg = 100 Ω
Ig = µA
5.어려움
게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.288 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.288 Ω
ε = µε
6.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 500 kg에서 3 mV/V입니다. 여기 전압은 10 V입니다. 하중 200 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
3 mV/VFrated = 500 kgVs = 10 VF = 200 kg
Vo = mV
정답표
- 1. R3 = 6 Ω
- 2. Vab = 0.5556 V
- 3. Rth = 145 Ω
- 4. Ig = 19392 µA
- 5. ε = 1200 µε
- 6. Vo = 12 mV
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