그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 60 Ω, R₂ = 20 Ω, R₄ = 400 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 60 ΩR2 = 20 ΩR4 = 400 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 3 V, R₁ = 100 Ω, R₂ = 80 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR1 = 100 ΩR2 = 80 ΩR3 = 120 ΩR4 = 100 Ω
Va = V
3.보통
500 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 500 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 10 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 10 VR = 500 Ω
Pg = mW
4.보통
저항 200 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 12 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 1000 ΩR2 = 600 ΩR3 = 20 ΩR4 = 500 ΩRg = 200 Ω
Ig = µA
5.어려움
네 변이 1000 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.12이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.12ε = 1500 µε
Vo = mV
6.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 10 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 3 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2Vo = 3 mV
ε = µε
정답표
- 1. R3 = 1200 Ω
- 2. Va = 1.333 V
- 3. Pg = 50 mW
- 4. Ig = −11845 µA
- 5. Vo = 3.975 mV
- 6. ε = 600 µε
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