그림의 브리지에서 Vs = 15 V, R₁ = 60 Ω, R₂ = 10 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 15 VR1 = 60 ΩR2 = 10 ΩR3 = 400 ΩR4 = 600 Ω
Va = V
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 15 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 600 ΩR2 = 60 ΩR3 = 60 ΩR4 = 300 Ω
Vab = V
3.보통
네 변이 모두 330 Ω인 브리지에 9 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 214.3 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 9 VR = 330 ΩVab = 214.3 mV
ΔR = Ω
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 120 ΩR2 = 20 ΩR3 = 250 ΩR4 = 800 Ω
Rth = Ω
5.어려움
게이지율 2인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.7 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2ΔR = 0.7 Ω
ε = µε
6.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.05ε = 500 µε
Vo = mV
정답표
- 1. Va = 2.143 V
- 2. Vab = −11.14 V
- 3. ΔR = 33 Ω
- 4. Rth = 207.6 Ω
- 5. ε = 1000 µε
- 6. Vo = 10.25 mV
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