그림의 브리지에서 Vs = 12 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 12 VR1 = 1000 ΩR2 = 400 ΩR3 = 120 ΩR4 = 100 Ω
Vab = V
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 80 Ω, R₂ = 800 Ω, R₄ = 300 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 80 ΩR2 = 800 ΩR4 = 300 Ω
R3 = Ω
3.보통
브리지의 네 변이 모두 120 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.6 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 120 ΩΔR = 0.6 Ω
Vab = mV
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 6 VR1 = 40 ΩR2 = 600 ΩR3 = 50 ΩR4 = 150 Ω
Rth = Ω
5.어려움
네 변이 1000 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 600 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.1ε = 600 µε
Vo = mV
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.05)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 1000 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 3.3 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.05εmax = 1000 µεVFS = 3.3 V
G =
정답표
- 1. Vab = −2.026 V
- 2. R3 = 30 Ω
- 3. Vab = 11.25 mV
- 4. Rth = 75 Ω
- 5. Vo = 3.78 mV
- 6. G = 643.9
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