그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 100 Ω, R₂ = 800 Ω, R₃ = 200 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 100 ΩR2 = 800 ΩR3 = 200 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 10 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR1 = 200 ΩR2 = 300 ΩR3 = 150 ΩR4 = 800 Ω
Is = mA
3.보통
브리지의 네 변이 모두 100 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.8 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 100 ΩΔR = 0.8 Ω
Vab = mV
4.보통
저항 200 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 10 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR1 = 120 ΩR2 = 60 ΩR3 = 600 ΩR4 = 250 ΩRg = 200 Ω
Ig = µA
5.어려움
능동 게이지 하나(GF = 2.05)인 1/4 브리지에 3 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.153 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.05Vo = 1.153 mV
ε = µε
6.어려움
게이지율 2.05인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.574 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2.05ΔR = 0.574 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 1600 Ω
- 2. Is = 30.53 mA
- 3. Vab = 18 mV
- 4. Ig = 941.6 µA
- 5. ε = 749.9 µε
- 6. ε = 800 µε
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