그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 10 Ω, R₂ = 800 Ω, R₃ = 60 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 10 ΩR2 = 800 ΩR3 = 60 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 300 Ω, R₂ = 600 Ω, R₃ = 80 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 300 ΩR2 = 600 ΩR3 = 80 Ω
R4 = Ω
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 150 ΩR2 = 10 ΩR3 = 40 ΩR4 = 100 Ω
Rth = Ω
4.보통
1000 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 1000 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 6 VR = 1000 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2ε = 1500 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2.12인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.1484 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 350 ΩGF = 2.12ΔR = 0.1484 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 4800 Ω
- 2. R4 = 160 Ω
- 3. Rth = 37.95 Ω
- 4. Pg = 9 mW
- 5. Vo = 7.5 mV
- 6. ε = 200 µε
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