그림의 브리지에 Vs = 9 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 9 VR1 = 20 ΩR2 = 800 ΩR3 = 60 ΩR4 = 150 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 2 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 10 ΩR2 = 150 ΩR3 = 10 ΩR4 = 80 Ω
Is = mA
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR1 = 800 ΩR2 = 150 ΩR3 = 200 ΩR4 = 600 Ω
Rth = Ω
4.보통
브리지의 네 변이 모두 220 Ω이고 Vs = 2 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 2.2 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2 VR = 220 ΩΔR = 2.2 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 1000 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 800 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.1ε = 800 µε
Vo = mV
6.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.12이고 변형률은 1200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.12ε = 1200 µε
Vo = mV
정답표
- 1. Is = 53.83 mA
- 2. Is = 34.72 mA
- 3. Rth = 276.3 Ω
- 4. Vab = 5 mV
- 5. Vo = 5.04 mV
- 6. Vo = 6.36 mV
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