1.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 40 Ω, R₂ = 200 Ω, R₃ = 400 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 40 ΩR2 = 200 ΩR3 = 400 Ω
R4 = Ω
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 40 Ω, R₂ = 200 Ω, R₃ = 400 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
그림의 브리지에서 Vs = 5 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
브리지의 네 변이 모두 220 Ω이고 Vs = 5 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 55 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 10 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.25 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 200 kg에서 2.5 mV/V입니다. 여기 전압은 12 V입니다. 하중 80 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
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