그림의 브리지에 Vs = 9 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 9 VR1 = 10 ΩR2 = 100 ΩR3 = 150 ΩR4 = 100 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 2 V, R₁ = 1000 Ω, R₂ = 400 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 1000 ΩR2 = 400 ΩR3 = 1000 ΩR4 = 40 Ω
Va = V
3.보통
브리지의 네 변이 모두 330 Ω이고 Vs = 12 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 26.4 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR = 330 ΩΔR = 26.4 Ω
Vab = mV
4.보통
브리지의 네 변이 모두 500 Ω이고 Vs = 3 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 125 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VR = 500 ΩΔR = 125 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 1000 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 1200 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1ε = 1200 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2.12인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.3053 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2.12ΔR = 0.3053 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Is = 117.8 mA
- 2. Va = 0.5714 V
- 3. Vab = 230.8 mV
- 4. Vab = 166.7 mV
- 5. Vo = 3.15 mV
- 6. ε = 1200 µε
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