그림의 브리지에 Vs = 12 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 12 VR1 = 120 ΩR2 = 800 ΩR3 = 100 ΩR4 = 300 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 800 Ω, R₂ = 250 Ω, R₄ = 50 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
R1 = 800 ΩR2 = 250 ΩR4 = 50 Ω
R3 = Ω
3.보통
브리지의 네 변이 모두 500 Ω이고 Vs = 9 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 100 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR = 500 ΩΔR = 100 Ω
Vab = mV
4.보통
470 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 470 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 5 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 5 VR = 470 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2ε = 1000 µε
Vo = mV
6.어려움
E = 70 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.1)가 2.5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.313 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.1Vo = 1.313 mVE = 70 GPa
σ = MPa
정답표
- 1. Is = 43.04 mA
- 2. R3 = 160 Ω
- 3. Vab = 409.1 mV
- 4. Pg = 13.3 mW
- 5. Vo = 2.5 mV
- 6. σ = 70.03 MPa
자세한 단계별 풀이: examproblems.com에서 이 주제를 연습하세요.